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      在當今快速發展的工業領域里，電子元器件完成了極其偉大的功能。其中功率器件比如絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、場效應管（MOSFET）、雙極性晶體管（BJT）、功率MOSFET等已經廣泛應用于越來越多的領域。如何來評估這些功率器件的熱阻特性，我們通常會用到T3Ster熱阻測試系統。

      T3Ster熱阻測試系統是一種獨特的設備，它能夠對包括電力電子器件在內的半導體器件的熱特性進行測量，從而對器件的散熱設計進行優化，對散熱性能進行針對性的改善。

      T3Ster熱阻測試系統不僅適用于半導體器件的熱特性的測量和分析，還可評估半導體器件的封裝水平，可以對半導體器件封裝的缺陷進行檢測，以及在半導體器件進行可靠性測試后，對封裝水平的進行再評估。

      此系統可以測試晶閘管、功率晶體管，大功率LED，MOSFET 和其他功率器件。

圖1:1200A T3Ster熱阻測試系統

1200A T3Ster 熱阻測試系統的優勢在于：
1、 結溫度測量精度高，器件結溫度的測量精度為 0.01°C；
2、 從加熱狀態和測量狀態切換時間短，僅為 1μs；
3、 測試采樣速率高且時間短，1μs /次，即1秒鐘可以采樣一百萬次；
4、 采用先進的靜態測試方法進行瞬態熱測試，測試周期短，測試的重復性好；

1200A T3Ster 熱阻測試系統可以輸出如下的電氣參數：
1、 加熱電流：在器件電壓 0~7V 的范圍內，加熱電流在 0~1200A 范圍內線性輸出；
2、 測試電流：在器件電壓 0~7V 的范圍內，測試電流在 0~2A 范圍內線性輸出；
3、 Gate 控制電壓：0~30V 范圍內線性輸出；
4、 脈沖電流寬度：10ms~無窮大；

1200A T3Ster 熱阻測試系統滿足如下的要求：
1、 被測試器件數：每次進行一個 DUT 測試；
2、 具有 Power Cycle 的功能：循環次數 1~無窮大；
3、 適用的溫度測試方法：器件的導通電壓作為溫度敏感參數；

4、 適用的瞬態測試方法：靜態測試法（持續加熱，冷卻中連續測試），動態測試方法（脈沖加熱，單點測試）。

     1200A T3Ster熱阻測試系統能對電力電子器件暨大功率半導體器件進行瞬態熱阻抗和穩態熱阻測試，具有可靠、方便、準確地對被測半導體器件進行溫度敏感參數的測量和校準的能力。溫度敏感參數在測量和校準時，可采用外部液體循環器控制環境溫度，從而對被測半導體器件的升溫和冷卻進行控制。